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本装备通过笔直涂覆的方法，，，，，，，实现硅片外貌的浆料涂覆。。。。通过涂覆工艺配合控制，，，，，，，可实现矩形硅片的外貌满涂；； ；；；；高带宽运动控制系统，，，，，，，准确指导模头升降、供料体积，，，，，，，行进速率，，，，，，，实现高一致性的平面薄膜制备；； ；；；；通过装备长度延伸，，，，，，，增添硅片装载卡盘的数目，，，，，，，本装备可以实现高通量硅晶叠层钙钛矿涂覆。。。。
涂覆基材规模: 166×166硅片，，，，，，，182×182硅片，，，，，，，182×91硅片，，，，，，，182×210硅片，，，，，，，210×210硅片，，，，，，，210×105硅片。。。。
涂覆湿厚: ≥3um
成膜干厚精度：优于5%（@1000nm）
最大涂覆速率: 100mm/s
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